Домой Новости Samsung Electronics испытывает трудности с разработкой 3-нм техпроцесса

Samsung Electronics испытывает трудности с разработкой 3-нм техпроцесса

59
0

Согласно источникам в индустрии, Samsung Electronics продолжает испытывать серьезные технологические проблемы при разработке 3-нм технологического процесса на основе транзисторов GAAFET (gate-all-around field-effect transistor).

Samsung Electronics испытывает трудности с разработкой 3-нм техпроцесса

Продолжительное время Samsung питала большие надежды по поводу технологии GAAFET, которая должна была сменить отраслевой стандарт FinFET (fin field-effect transistor) на фабриках компании. Однако, по текущим оценкам, даже в случае преодоления технических и производственных проблем, коммерческая реализация GAAFET будет проигрывать FinFET по себестоимости и производительности в рамках техпроцессов одного класса.

Samsung Electronics испытывает трудности с разработкой 3-нм техпроцесса

Ранее Samsung Electronics планировала запустить 3-нм технологию GAA Early (GAE) в мелкосерийное производство в 2020 году и начать массовый выпуск пластин в 2021 году. Тем не менее, реальность такова, что эти сроки будут сдвинуты как минимум на конец 2022-го – начало 2023-года. Развитием GAA Early является технология GAA Plus второго поколения (GAP). Возможно, в GAA Plus удастся исправить эти проблемы.

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Пожалуйста, введите ваш комментарий!
пожалуйста, введите ваше имя здесь